Feldemissions-TEM | TH-F120

Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-SEM) mit Focused Ion Beam (FIB)-Säulen Das CIQTEK DB550 Focused Ion Beam Scanning Electron Microscope (FIB-SEM) verfügt über eine fokussierte Ionenstrahlsäule für die Nanoanalyse und Probenvorbereitung. Es nutzt die „Supertunnel“-Elektronenoptiktechnologie, geringe Aberration und ein nichtmagnetisches Objektivdesign und verfügt über die Funktion „Niederspannung, hohe Auflösung“, um seine Analysefähigkeiten im Nanomaßstab sicherzustellen. Die Ionensäulen ermöglichen eine Ga+-Flüssigmetall-Ionenquelle mit hochstabilen und qualitativ hochwertigen Ionenstrahlen, um die Fähigkeit zur Nanofabrikation sicherzustellen. Der DB550 ist eine All-in-one-Nanoanalyse- und Fertigungs-Workstation mit integriertem Nanomanipulator, Gasinjektionssystem und benutzerfreundlicher GUI-Software.

Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop für die skalenübergreifende Abbildung von großvolumigen Proben CIQTEK HEM6000 verfügt über Technologien wie die hochhelle Großstrahl-Stromelektronenkanone, ein Hochgeschwindigkeits-Elektronenstrahl-Ablenksystem, eine Hochspannungs-Probentischverzögerung, eine dynamische optische Achse und ein elektromagnetisches und elektrostatisches Immersions-Kombinationsobjektiv um eine schnelle Bildaufnahme zu erreichen und gleichzeitig eine Auflösung im Nanomaßstab sicherzustellen. Der automatisierte Betriebsprozess ist für Anwendungen wie einen effizienteren und intelligenteren großflächigen hochauflösenden Bildgebungsworkflow konzipiert. Die Abbildungsgeschwindigkeit kann mehr als fünfmal schneller sein als bei einem herkömmlichen Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FESEM).

Ultrahochauflösende Feldemissions-Rasterelektronenmikroskopie (FESEM) Fordert die Grenzen heraus Der CIQTEK SEM5000X ist ein FESEM mit ultrahoher Auflösung und optimiertem Elektronenoptik-Säulendesign, das die Gesamtaberrationen um 30 % reduziert und eine ultrahohe Auflösung von 0,6 nm bei 15 kV und 1,0 nm bei 1 kV erreicht . Seine hohe Auflösung und Stabilität machen es vorteilhaft für die fortgeschrittene nanostrukturelle Materialforschung sowie die Entwicklung und Herstellung von High-Tech-Node-Halbleiter-IC-Chips.

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