Hochgeschwindigkeits-3D-Rekonstruktion mit hoher Auflösung: Die volumetrische Elektronenmikroskopielösung von CIQTEK eröffnet neue Dimensionen in der biologischen Charakterisierung

Ga + Fokussiertes Ionenstrahl-Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop Der CIQTEK DB550 Fokussiertes Ionenstrahl-Rasterelektronenmikroskop (FIB-SEM) verfügt über eine fokussierte Ionenstrahlsäule für die Nanoanalyse und Probenvorbereitung. Es nutzt die „Supertunnel“-Elektronenoptiktechnologie, geringe Aberration und ein nichtmagnetisches Objektivdesign und verfügt über die Funktion „Niedrigspannung, hohe Auflösung“, um seine analytischen Fähigkeiten im Nanomaßstab sicherzustellen. Die Ionensäulen ermöglichen eine Ga + Flüssigmetallionenquelle mit hochstabilen und hochwertigen Ionenstrahlen zur Gewährleistung der Nanofabrikationsfähigkeit. Der DB550 ist eine All-in-One-Workstation für Nanoanalyse und -herstellung mit integriertem Nanomanipulator, Gasinjektionssystem und benutzerfreundlicher GUI-Software.

Hohe Geschwindigkeit Vollautomatische Feldemission Rasterelektronenmikroskop Arbeitsplatz CIQTEK HEM6000 Zu den Ausstattungstechnologien gehören beispielsweise eine Elektronenkanone mit hoher Helligkeit und großem Strahlstrom, ein Hochgeschwindigkeits-Elektronenstrahl-Ablenksystem, eine Hochspannungs-Probentischverzögerung, eine dynamische optische Achse und eine elektromagnetische und elektrostatische Immersions-Kombiobjektivlinse, um eine Hochgeschwindigkeits-Bildaufnahme bei gleichzeitiger Gewährleistung einer Auflösung im Nanomaßstab zu erreichen. Der automatisierte Betriebsprozess ist für Anwendungen wie einen effizienteren und intelligenteren Workflow bei der hochauflösenden Bildgebung großer Flächen konzipiert. Seine Bildgebungsgeschwindigkeit ist mehr als fünfmal schneller als die eines herkömmlichen Feldemissions-Rasterelektronenmikroskops (FESEM).

Ultrahochauflösende Feldemissions-Rasterelektronenmikroskopie (FESEM) Der CIQTEK SEM5000X ist ein ultrahochauflösendes FESEM mit optimiertem Elektronenoptiksäulendesign, das die Gesamtaberrationen um 30 % reduziert und eine ultrahohe Auflösung von 0,6 nm bei 15 kV und 1,0 nm bei 1 kV erreicht. Seine hohe Auflösung und Stabilität machen es vorteilhaft für die Forschung an fortschrittlichen nanostrukturellen Materialien sowie für die Entwicklung und Herstellung hochtechnologischer Halbleiter-IC-Chips.